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功率放大器在超声化学机械抛光实验中的应用

作者:Aigtek 阅读数:0 发布时间:2026-09-28 17:35:31

【概述】

南昌大学研究团队使用功率放大器,搭建超声化学机械抛光实验系统。


实验名称:蓝宝石超声化学机械抛光正交实验、超声腐蚀与CMP对比实验

研究方向:硬脆材料(蓝宝石)超精密加工,聚焦UVCMP工艺优化与增强机理。

实验目的:

1、验证UVCMP工艺优势:对比CMP与UVCMP,验证超声振动对去除率与表面质量的提升。

2、优化工艺参数:用四因素四水平正交实验研究载荷、转速、流速及磨粒质量分数。

3、探究增强机理:通过超声腐蚀与常规腐蚀对比及亚表面损伤表征揭示规律。

测试设备:

1、蓝宝石超声化学机械抛光实验:由超声发生器、功率放大器和换能器(40kHz、60W)组成振动系统,配抛光机、抛光垫、蠕动泵及AFM等。

蓝宝石UVCMP实验设备

图1:蓝宝石UVCMP实验设备

蓝宝石UVCMP原理示意图

图2:蓝宝石UVCMP原理示意图

2、超声腐蚀与CMP对比实验:超声发生器、功率放大器与换能器依次连接;SiO2抛光液浸泡1h,超声腐蚀加40kHz、60W振动。

实验过程:

蓝宝石UVCMP工艺优化实验:晶圆丙酮、去离子水各超声清洗6min后干燥;SiO2抛光液与去离子水搅拌15min调pH至10;晶圆装入换能器集成夹具接超声链路,按四因素四水平正交表开展16组实验,用AFM测Ra,SEM、TEM观察截面。

超声增强机理验证实验:最优参数(载荷10psi、转速80r/min、流速80mL/min、磨粒15%)下Ra0.083nm、MRR72.15nm/min;超声腐蚀后非晶层由172nm降至134nm;UVCMP后亚表面损伤层厚76nm;空化泡溃灭能量与微射流提高试剂与磨粒撞击几率,避免划痕。

最优工艺UVCMP后蓝宝石表面形貌AFM图像

图3:最优工艺UVCMP后蓝宝石表面形貌AFM图像

实验结果:

1、工艺优化:载荷对MRR影响最大,转速次之,流速最小;最优工艺下Ra0.083nm、MRR72.15nm/min。

2、亚表面损伤对比:UVCMP后亚表面损伤层厚76nm,较CMP(106nm)减小约30%。

蓝宝石晶圆截面TEM图像:(a)CMP(b)UVCMP

图4:蓝宝石晶圆截面TEM图像:(a)CMP(b)UVCMP


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